商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | - | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 8mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
- 660-015NF12R5-01
- 45240-600230
- 1-530743-2
- DBMV21X1SNA197
- SIT8208AC-8F-33S-19.200000Y
- RN1107MFV,L3F(CT
- CS-AH100-A-4-A1
- SIT8008BI-13-XXS-13.560000
- MX3AWT-A1-R250-0008B5
- 1863003-1
- 5510707100F
- 832-10-082-30-052000
- RCS1005F2213CS
- SIT1602BC-22-33E-31.250000
- PTKM50-894H
- 39500000100
- SG-8018CA 100.141110M-TJHPA0
- 714-83-122-41-001101
- NMUSBEVALEXC
- DBMMG9X4PN
- 660-015B10F5-01

