MV2N5116UB/TR
MV2N5116UB/TR
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MV2N5116UB/TR
- 商品编号
- C17533753
- 商品封装
- SMD-3P
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 175Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 5mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 27pF | |
| 工作温度 | -65℃~+200℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | P沟道 |
商品特性
- 外壳:陶瓷
- 引脚:镀镍底层上镀金。仅商业级提供符合RoHS标准的哑光/镀锡
- 标记:部件编号、日期代码、制造商标识
- 卷带包装选项:符合EIA - 418D标准。具体数量咨询厂家
- 重量:小于0.04克
- SG-8018CE 11.7000M-TJHSA0
- SLA40476B-580L
- GCM1555G1H4R0BA16J
- SIT8208AC-3F-28S-25.000000X
- ISM480-EVB
- MAXREFDES277#
- DD15S20ANT2S/AA
- SIT8208AC-23-33S-16.369000
- ES2B-M3/5BT
- BLK204-7T-1U-BK-WB
- 0430452023
- IPBT-113-H1-T-D-RA-GP
- QTM532-10.000MBD-T
- MLX92215LUA-AAA-500-SP
- 103976-7
- NTE5879
- 11050006106
- SG-8018CB 10.5375M-TJHPA0
- SIT1602BC-72-30E-33.333300
- EHF-117-01-L-D-SM-P-TR
- GCM1885G2A201JA16J

