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RN1107MFV,L3F(CT
硅NPN外延型双极晶体管（PCT工艺），内置偏置电阻，适用于开关和接口电路，超小封装，适合高密度安装
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- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- RN1107MFV,L3F(CT
- 商品编号
- C17532991
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0055克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 1.8V@5mA,0.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | 1V@0.1mA,5V | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 电阻比率 | 0.213 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 集电极截止电流(Icbo) | - |
商品特性
- 通过 AEC-Q101 认证
- 超小型封装，适合超高密度安装
- 集成偏置电阻减少了所需的外部元件数量，从而减小系统尺寸并缩短组装时间。
- 提供多种阻值的晶体管，以满足不同的电路设计需求。
- 与 RN2107MFV 至 2109MFV 互补
应用领域
- 开关、逆变器电路
- 接口
- 驱动电路
- CS-AH100-A-4-A1
- SIT8008BI-13-XXS-13.560000
- MX3AWT-A1-R250-0008B5
- 1863003-1
- 5510707100F
- 832-10-082-30-052000
- RCS1005F2213CS
- SIT1602BC-22-33E-31.250000
- PTKM50-894H
- 39500000100
- SG-8018CA 100.141110M-TJHPA0
- 714-83-122-41-001101
- NMUSBEVALEXC
- DBMMG9X4PN
- 660-015B10F5-01
- 0039306162
- EVK-R510M8S-0
- 09069480521
- SIT1602BC-13-33E-66.600000
- D38999/26JE26PB-LC
- 550E003M1R3J0G03