- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
DMN3270UVT-7
2个N沟道 耐压:30V 电流:1.6A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN3270UVT-7
- 商品编号
- C17521264
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3Ω@1.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.08W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.07nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 161pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 26pF |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,使其非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低输入电容
- 低导通电阻
- 快速开关速度
- 栅极具备ESD保护
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 符合AEC-Q101高可靠性标准
应用领域
- 电池管理系统
- 电动汽车
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- TFM-115-01-S-D
- QTM216-20.000MCE-T
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