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DMT2005UDV-13
2个N沟道 耐压:24V 电流:50A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMT2005UDV-13
- 商品编号
- C17524372
- 商品封装
- VDFN-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.274克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 24V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12mΩ@2.5V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 46.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
一款35 W的超耐用LDMOS功率晶体管，适用于HF至600 MHz频段的广播和工业应用。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成双面ESD保护
- 卓越的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计（HF至600 MHz）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 广播发射机应用