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ZXMP6A16DN8TC
2个P沟道 耐压:60V 电流:2.9A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- ZXMP6A16DN8TC
- 商品编号
- C17523679
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.172克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.15W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 24.2nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.021nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56.4pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 83.1pF |
商品概述
这新一代的沟槽 MOSFET 采用了独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关速度的优势。这使它们非常适合用于高效率、低电压的电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-快速开关速度-低阈值-低栅极驱动-薄型 SOIC 封装
应用领域
-DC-DC 转换器-电源管理功能-断开开关-电机控制