MSCSM170HM087CAG
4个N沟道 耐压:1.7kV 电流:238A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM170HM087CAG
- 商品编号
- C17521233
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 238A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.114kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 712nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.2nF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
MSCSM170HM087CAG器件是一款1700 V/238 A的全桥碳化硅(SiC)功率模块。
商品特性
- 碳化硅功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(on)
- 高温性能
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压VF具有正温度系数
- 开尔文源极,易于驱动
- 低杂散电感
- M5功率连接器
- 采用氮化铝(AlN)基板,提升热性能
应用领域
- 焊接转换器
- 开关电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动