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MSCSM170HM087CAG

4个N沟道耐压:1.7kV 电流:238A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: MSCSM170HM087CAG
商品编号: C17521233
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ALD210802精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些四通道单片器件是ALD110802 EPAD MOSFET系列的增强型产品，具有更高的正向跨导和输出电导，尤其是在非常低的电源电压下。 ALD210802适用于低电压、低功耗小信号应用，具有精确的阈值电压，可在增强的工作电压范围内实现输入/输出信号参考地的电路设计。使用这些器件，可以构建多级级联电路，在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如，使用这些器件已成功构建了工作电源电压低于0.2V的微功耗输入放大器级。 ALD210802 EPAD MOSFET具有出色的匹配对电气特性，栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.20V ± 0.020V（IDS = +10μA，VDS = 0.10V），典型失调电压仅为± 0.002V（2mV）。它们基于单个单片芯片构建，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常通电路。除了精密匹配对电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好可控的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件旨在实现最小失调电压和差分热响应，可用于+0.1V至+10V（± 0.05V至± 5V）供电系统的开关和放大应用，在这些应用中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.20V时，器件表现出增强型模式特性；而当VGS < +0.20V时，器件在亚阈值电压区域工作，表现出传统的亚阈值特性，具有良好可控的关断和亚阈值电平，其工作方式与标准增强型MOSFET相同。 ALD210802具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。在25°C下，漏极输出电流为30mA、输入电流为300pA时，直流电流增益的示例计算为30mA / 300pA = 100,000,000，这相当于约八个数量级的动态工作电流范围。

商品特性

精确的VGS(th) = +0.20 V ± 0.020 V
VOS（VGS(th)匹配）最大为10 mV
亚阈值电压（微功耗）工作
最小工作电压 < 200mV
最小工作电流 < 1nA
最小工作功率 < 1nW
工作电流范围 > 100,000,000:1
高跨导和输出电导
低RDS(ON)为25Ω
输出电流 >50 mA
匹配和跟踪温度系数
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数
低输入电容和泄漏电流

应用领域

低开销电流镜和电流源-零功耗常通电路-能量收集探测器-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障探测器-极低电平电压钳位-极低电平过零探测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷探测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值探测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-分立匹配模拟开关/多路复用器-微功耗分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	1.7kV
	连续漏极电流(Id)	238A
	导通电阻(RDS(on))	11.3mΩ@20V,120A

	属性	参数值
	耗散功率(Pd)	1.114kW
	阈值电压(Vgs(th))	3.2V
	栅极电荷量(Qg)	712nC@20V
	输入电容(Ciss)	13.2nF@1000V
	工作温度	-40℃~+175℃@(Tj)