MSCSM170HM087CAG
4个N沟道 耐压:1.7kV 电流:238A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM170HM087CAG
- 商品编号
- C17521233
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 238A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 11.3mΩ@20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.114kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 712nC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 13.2nF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
ALD210802精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些四通道单片器件是ALD110802 EPAD MOSFET系列的增强型产品，具有更高的正向跨导和输出电导，尤其是在非常低的电源电压下。 ALD210802适用于低电压、低功耗小信号应用，具有精确的阈值电压，可在增强的工作电压范围内实现输入/输出信号参考地的电路设计。使用这些器件，可以构建多级级联电路，在极低的电源/偏置电压水平下工作。例如，使用这些器件已成功构建了工作电源电压低于0.2V的微功耗输入放大器级。 ALD210802 EPAD MOSFET具有出色的匹配对电气特性，栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.20V ± 0.020V（IDS = +10μA，VDS = 0.10V），典型失调电压仅为± 0.002V（2mV）。它们基于单个单片芯片构建，还具有出色的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛，适用于各种模拟小信号应用，如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色，如极低电平电压钳位和微功耗常通电路。 除了精密匹配对电气特性外，每个单独的EPAD MOSFET还具有良好可控的制造特性，使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件旨在实现最小失调电压和差分热响应，可用于+0.1V至+10V（± 0.05V至± 5V）供电系统的开关和放大应用，在这些应用中需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.20V时，器件表现出增强型模式特性；而当VGS < +0.20V时，器件在亚阈值电压区域工作，表现出传统的亚阈值特性，具有良好可控的关断和亚阈值电平，其工作方式与标准增强型MOSFET相同。 ALD210802具有高输入阻抗（2.5 × 10^10Ω）和高直流电流增益（>10^8）。在25°C下，漏极输出电流为30mA、输入电流为300pA时，直流电流增益的示例计算为30mA / 300pA = 100,000,000，这相当于约八个数量级的动态工作电流范围。
商品特性
- 碳化硅功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(on)
- 高温性能
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压VF具有正温度系数
- 开尔文源极,易于驱动
- 低杂散电感
- M5功率连接器
- 采用氮化铝(AlN)基板,提升热性能
应用领域
- 焊接转换器
- 开关电源
- 不间断电源
- 电动汽车电机和牵引驱动