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APTC60VDAM45T1G

2个N沟道耐压:600V 电流:49A

品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APTC60VDAM45T1G
商品编号: C17525228
包装方式: 托盘
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品特性

-功率半导体-超低漏源导通电阻(RDS(ON))-低米勒电容-超低栅极电荷-雪崩能量额定-非常坚固耐用-极低杂散电感-对称设计-内置用于温度监测的热敏电阻-高度集成-高频运行时性能卓越-可直接安装到散热器上(隔离封装)-结到外壳的热阻低-电源和信号引脚均可焊接,便于 PCB 安装-每个支路可轻松并联,使电流能力提升一倍-薄型设计-符合 RoHS 标准

应用领域

-交流和直流电机控制-开关模式电源-功率因数校正(PFC)-交错式功率因数校正

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	600V
	连续漏极电流(Id)	49A
	导通电阻(RDS(on))	45mΩ@10V,24.5A
	耗散功率(Pd)	250W
	阈值电压(Vgs(th))	3.9V@3mA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	150nC@10V
	输入电容(Ciss)	7.2nF
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-40℃~+150℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	8.5nF