- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
MSCSM120DDUM16CTBL3NG
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM120DDUM16CTBL3NG
- 商品编号
- C17522609
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 12.5mΩ@20V | |
| 耗散功率(Pd) | 560W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 464nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 6.04nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | 共源 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 540pF | |
| 栅极电压(Vgs) | 3V |
商品概述
MSCSM120DDUM16CTBL3NG器件是一款双路双共源1200 V/150 A碳化硅(SiC)MOSFET功率模块。
商品特性
- 碳化硅功率MOSFET
- 低导通电阻RDS(on)
- 高速开关
- 碳化硅肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 开关特性不受温度影响
- 正向电压VF具有正温度系数
- 超轻重量和超薄外形
- 开尔文源极,便于驱动
- 采用厚铜Si3N4基板,提升热性能
- 内置热敏电阻,用于温度监测
- 宽温度范围
应用领域
- 高可靠性电源系统
- 交流开关
- SG-8018CE 16.6700M-TJHPA0
- QR/P4-32S-C(21)
- SIT1602BI-32-XXS-33.333300
- 11902
- 10401-C
- DAMD15SCA197
- CTCDRH125F-820M
- D38999/24ZE35AN
- MIL1812-154J
- DMN63D1LDW-7
- SIT8208AI-8F-18S-60.000000Y
- TLV320AIC3101EVM-K
- SIT1602BC-72-18N-25.000625
- SG-8018CA 50.4500M-TJHPA0
- 1744357-6
- KF22X-C37S-N
- 3QHM53C0.5-42.000
- H11G1300W
- M83723/60-220RN
- SIT8208AC-8F-33E-16.367667Y
- DM130363-1