DMN33D9LV-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:350mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D9LV-13
- 商品编号
- C17513693
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 430mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款MOSFET经过精心设计,可将导通电阻 RDS(ON) 降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-栅极具有2kV静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
- SIT9365AI-2B2-33E153.600000
- SN74HCT374APWR
- EA OLEDL128-6GGA
- AWVH002520122R2T00
- MPQ2222 PBFREE
- NSXN2R221S0001
- SIT8208AC-31-33E-66.666000
- 5700100323F
- 6-1478996-1
- RCS2012F5361CS
- BPRR001010513R5MA0
- CTCDRH3D28/LDF-560M
- SC5022C-681
- XPCW1003100K
- NRF-PPK2
- 4040-0-19-15-07-14-10-0
- 5610004813F
- ABC26C-0000A
- FC-04IBCGY-7001
- 621-015-368-012
- LPS7360MT330

