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DMN33D9LV-13
2个N沟道 耐压:30V 电流:350mA
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN33D9LV-13
- 商品编号
- C17513693
- 商品封装
- SOT-563
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.02356克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 350mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 430mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 48pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
AO6601采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET构成高速功率逆变器，适用于多种应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-栅极具有2kV静电放电保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,为“绿色”器件-通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性
应用领域
-电机控制-电源管理功能-DC-DC转换器-背光照明
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