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DMP2110UVT-13
2个P沟道 耐压:20V 电流:1.8A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMP2110UVT-13
- 商品编号
- C17517000
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.8A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 240mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 740mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 443pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 59pF |
商品概述
SPF0004包含两个带齐纳二极管用于静电放电（ESD）保护的N沟道功率MOSFET。SPF0004的封装将每个MOSFET相互隔离，并设有与每个漏极相连的散热片。
商品特性
- 符合汽车级标准
- 低导通电阻
- 栅极具备ESD保护齐纳二极管
- 100%经过雪崩测试
- 符合RoHS指令
- 漏源击穿电压（VDSS）275 V（漏极电流ID = 100 μA）
- 漏极电流（ID） -±6A
- 导通电阻RDS(ON) - 最大0.26Ω（漏极电流ID = 6A，栅源电压VGS = 10V）
- 反向恢复时间trr 117 ns（典型值）
应用领域
- 通用接口开关
- 电源管理功能
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