- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 100A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 140A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 800nC@300V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 4.62nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 300pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 140pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 110ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns | |
| 导通损耗(Eon) | 350uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 2.2mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 25ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品特性
- Q2、Q3沟槽+场截止IGBT3技术：低压降、低尾电流、开关频率高达20kHz、软恢复并联二极管、低二极管正向电压、低泄漏电流、有RBSOA和SCSOA额定值
- Q1、Q4 CoolMOS™：超低导通电阻、低米勒电容、超低栅极电荷、雪崩能量额定、非常坚固
- 开尔文发射极便于驱动
- 极低杂散电感
- 高集成度
- 内置热敏电阻用于温度监测
应用领域
太阳能转换器、不间断电源
- IPT1-105-08-L-D
- SIT9365AC-4E3-30E100.000000
- 667-179NF01F7-03
- 06AB2D
- DRI0042
- SIT8208AC-22-28E-16.367667
- SIT1602BC-31-25S-33.330000
- 0401-0-15-01-47-14-04-0
- 06-6625-70
- M80-4144098
- SIT8208AC-22-25E-33.330000
- 3J1205-G2-C3AW
- 535BC000172DG
- SIT8208AI-22-28E-18.432000
- DME-15-S-P-SQ
- 09458400008
- DDMC53515-2954
- M83723/59-124WC
- 25QHM572C1.5-99.000
- 125-1R1-JBW
- LCAXN350-12-6