APT35GA90B
APT35GA90B
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APT35GA90B
- 商品编号
- C17511247
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.562克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | PT(穿通型) | |
| 耗散功率(Pd) | 290W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 900V | |
| 集电极电流(Ic) | 63A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.1V@15V,18A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 84nC | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 12ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 104ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
POWER MOS 8（带圈）是一种高速穿通型开关模式IGBT。通过领先的硅设计技术和寿命控制工艺实现了低Eoff。与其他IGBT技术相比，降低的Eoff - VCE(ON)权衡结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的Cres/Cies比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，即使在高频开关时也能实现低EMI。
商品特性
- 快速开关且低EMI
- 极低的Eoff以实现最大效率
- 超低的Cres以提高抗噪性
- 低传导损耗
- 低栅极电荷
- 增加本征栅极电阻以降低EMI
- 符合RoHS标准
应用领域
ZVS移相和其他全桥、半桥、高功率PFC升压、焊接、UPS、太阳能和其他逆变器