APT35GA90B

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品牌名称: MICROCHIP(美国微芯)
商品型号: APT35GA90B
商品编号: C17511247
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 7.562克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	IGBT管/模块
	IGBT类型	PT(穿通型)
	耗散功率(Pd)	290W
	集射极击穿电压(Vces)	900V
	集电极电流(Ic)	63A
	集电极脉冲电流(Icm)	105A
	集电极截止电流(Ices)	-
	集射极饱和电压(VCE(sat))	2.5V；2.2V
	栅极阈值电压(Vge(th))	3.1V@15V,18A
	栅极电荷量(Qg)	84nC

	属性	参数值
	输入电容(Cies)	1.934nF
	输出电容(Coes)	173pF
	反向传输电容(Cres)	28pF
	开启延迟时间(Td(on))	12ns
	关断延迟时间(Td(off))	104ns
	导通损耗(Eon)	1.044mJ；642uJ
	关断损耗(Eoff)	907uJ；382uJ
	反向恢复时间(Trr)	-
	工作温度	-55℃~+150℃@(Tj)

商品概述

POWER MOS 8（带圈）是一种高速穿通型开关模式IGBT。通过领先的硅设计技术和寿命控制工艺实现了低Eoff。与其他IGBT技术相比，降低的Eoff - VCE(ON)权衡结果带来了卓越的效率。低栅极电荷和大幅降低的Cres/Cies比率提供了出色的抗噪性、短延迟时间和简单的栅极驱动。多晶硅栅极结构的本征芯片栅极电阻和电容有助于在开关过程中控制di/dt，即使在高频开关时也能实现低EMI。

商品特性

快速开关且低EMI
极低的Eoff以实现最大效率
超低的Cres以提高抗噪性
低传导损耗
低栅极电荷
增加本征栅极电阻以降低EMI
符合RoHS标准

应用领域

ZVS移相和其他全桥、半桥、高功率PFC升压、焊接、UPS、太阳能和其他逆变器

数据手册PDF

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