- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
APTGT50H60T3G
APTGT50H60T3G
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- APTGT50H60T3G
- 商品编号
- C17511533
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 耗散功率(Pd) | 176W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 80A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.5V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 3.15nF@25V | |
| 输出电容(Coes) | 200pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 95pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 120ns；110ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 200ns；250ns | |
| 导通损耗(Eon) | 430uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.75mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 100ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |
商品概述
VCES = 600V，IC = 50A（在Tc = 80°C时）。所有多个输入和输出必须短接在一起，例如：13/14；29/30；22/23…
商品特性
- 沟槽+场截止IGBT3
- 低压降
- 低尾电流
- 开关频率高达20kHz
- 低漏电流
- RBSOA和SCSOA额定
- 开尔文发射极，便于驱动
- 极低的杂散电感
- 内置热敏电阻，用于温度监测
应用领域
焊接转换器、开关模式电源、不间断电源、电机控制
- ATMXT799TAT-I2C-PCB
- 3DB500K
- 34_716-50-0-1/003_-E
- MDM-25PSP-A174
- TST-117-01-L-D-05
- 620MS065ZNU08
- MS3437A26A
- 2132230-7
- J310 TO-92 3L ROHS
- TND316S-TL-E
- D38999/26FF32SCL
- RE11-442P
- 8D509M35PN-LC
- SIT1602BIB72-18S-19.200000
- D100K50KE
- SIT9365AI-2B3-28N100.000000
- PT15YV18-204A2020-4CR
- SN75LBC182PE4
- SIT1602BC-21-18N-66.666660
- 660-031NF21U5-01
- SIT1602BI-71-33S-38.400000