温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

IS43TR81280BL-125KBLI

1Gb DDR3 SDRAM高速数据传输

SMT扩展库PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 128Mx8, 64Mx16 1Gb DDR3 SDRAM。支持高速数据传输速率，最高可达1600 MHz。具有低功耗模式，支持自刷新和部分阵列自刷新。工作温度范围：-40°C至85°C。
品牌名称: ISSI(美国芯成)
商品型号: IS43TR81280BL-125KBLI
商品编号: C17490359
商品封装: TWBGA-78(8x10.5)
包装方式: 托盘
商品毛重: 0.562克(g)

商品参数

	属性	参数值
	工作电流	-
	刷新电流	-
	工作温度	-40℃~+95℃
	功能特性	写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能

该文档详细介绍了128MX8、64MX16 1Gb DDR3 SDRAM的特性、操作选项、引脚说明以及功能描述。包括不同电压标准、高速数据传输、内部银行结构、预取架构、可编程参数等特性，还说明了上电初始化序列等功能流程。

标准电压：VDD和VDDQ = 1.5V ± 0.075V
低电压（L）：VDD和VDDQ = 1.35V + 0.1V, -0.067V，向后兼容1.5V
高速数据传输速率，系统频率高达1066 MHz
8个内部存储体，可并发操作
8n位预取架构
可编程CAS延迟
可编程附加延迟：0、CL - 1、CL - 2
基于tCK的可编程CAS写延迟（CWL）
可编程突发长度：4和8
可编程突发序列：顺序或交错
动态BL切换
自动自刷新（ASR）
自刷新温度（SRT）
配置：128Mx8、64Mx16
封装：x16采用96球BGA（9mm x 13mm），x8采用78球BGA（8mm x 10.5mm）
刷新间隔：7.8 us（8192周期/64 ms），Tc = -40°C至85°C；3.9 us（8192周期/32 ms），Tc = 85°C至105°C
部分阵列自刷新
异步复位引脚
支持TDQS（终端数据选通）（仅x8）
OCD（片外驱动器阻抗调整）
动态ODT（片内终端）
驱动器强度：RZQ/7、RZQ/6（RZQ = 240 Ω）
写电平调整
DLL关闭模式下高达200 MHz
工作温度：商业级（Tc = 0°C至+95°C）；工业级（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级A1（Tc = -40°C至+95°C）；汽车级A2（Tc = -40°C至+105°C）