IS43LR32640B-5BLI
2Gb 移动型 DDR SDRAM
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- 描述
- IS43/46LR16128B/32640B 是 2,147,483,648 位 CMOS 移动双倍数据速率同步 DRAM,组织为 4 个 128 兆字的 16 位或 64 兆字的 32 位bank。该产品使用双数据率架构实现高速操作,数据输入/输出信号在 16 位或 32 位总线上传输。双数据率架构本质上是一个 2V 预取架构,参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径内部流水线化,2n 位预取以实现非常高的带宽。所有输入和输出电压电平与 LVCMOS 兼容。
- 品牌名称
- ISSI(北京矽成)
- 商品型号
- IS43LR32640B-5BLI
- 商品编号
- C17490417
- 商品封装
- TFBGA-90(8x13)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 208MHz | |
| 存储容量 | 2Gbit | |
| 工作电压 | 1.8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 95mA | |
| 刷新电流 | 3.5mA | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 自动自刷新;内置温度传感器;自动预充电功能;数据掩码功能 |
- IS45S16100H-7TLA1-TR
- W9864G6KT-6
- IS66WVH8M8DBLL-100B1LI
- SI5338N-B06142-GMR
- SI5338L-B09876-GM
- AS4C32M16MSA-6BINTR
- S80KS5123GABHB020
- 4N27-X009T
- SIT8208AC-2F-28E-16.367667X
- FTLX3871DCC54-C
- TFM-103-02-H-D-WT
- IPT1-110-01-SM-D-VS-A-K-TR
- 430451419
- L130-5080HB30000B7
- CBR1-D100S TR13 PBFREE
- BPSF00070745221M00
- SIT9003AC-14-18DO-75.000000X
- TOLC-150-12-L-Q-A-TR
- XPEWHT-L1-0000-00CE6
- 638-M26-232-BN1
- RC0402F332CS

