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ALD210804PCL

4个N沟道耐压:10.6V 电流:80mA

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品牌名称: ALD
商品型号: ALD210804PCL
商品编号: C17488027
商品封装: PDIP-16
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

ALD210804精密增强型N沟道EPAD MOSFET阵列采用ALD成熟的EPAD CMOS技术在工厂进行精密匹配。这些四通道单片器件是ALD110804 EPAD MOSFET系列的增强版本,具有更高的正向跨导和输出电导,特别是在非常低的电源电压下。 ALD210804适用于低电压、低功耗小信号应用,具有精确的阈值电压,可在增强的工作电压范围内实现输入/输出信号以地为参考的电路设计。使用这些器件,可以构建多级级联电路,使其在极低的电源/偏置电压水平下工作。 ALD210804 EPAD MOSFET的栅极阈值电压VGS(th)精确设置为+0.40V ± 0.020V(IDS = +10μA,VDS = 0.10V),典型失调电压仅为± 0.002V(2mV),具有出色的配对电气特性。它们采用单芯片制造,还具有优异的温度跟踪特性。这些精密器件作为设计组件用途广泛,适用于各种模拟小信号应用,如电流镜、匹配电路、电流源、差分放大器输入级、传输门和多路复用器的基本构建模块。它们在有限工作电压应用中也表现出色,如极低电平电压钳位和微功耗常开电路。除了精密配对的电气特性外,每个单独的EPAD MOSFET还具有良好的制造特性控制,使用户能够依赖不同生产批次的严格设计限制。这些器件的失调电压和差分热响应极小,可用于+0.1V至+10V(±0.05V至±5V)供电系统中的开关和放大应用,这些系统需要低输入偏置电流、低输入电容和快速开关速度。当VGS > +0.40V时,器件呈现增强型特性;当VGS < +0.40V时,器件在亚阈值电压区域工作,呈现传统的亚阈值特性,关断和亚阈值电平控制良好,与标准增强型MOSFET的工作方式相同。 ALD210804具有高输入阻抗(2.5 × 10^10Ω)和高直流电流增益(>10^8)。

商品特性

精确的VGS(th) = +0.40 V ± 0.020 V
最大VOS(VGS(th)匹配)为10 mV
亚阈值电压(微功耗)工作
最小工作电压 < 400mV
最小工作电流 < 1nA
最小工作功率 <1nW
工作电流范围 > 100,000,000:1
高跨导和输出电导
25Ω的低RDS(ON)
输出电流 >50 mA
匹配和跟踪的温度系数
严格的批次间参数控制
正、零和负VGS(th)温度系数
低输入电容和泄漏电流

应用领域

-低开销电流镜和电流源-零功耗常开电路-能量收集检测器-极低电压模拟和数字电路-零功耗故障安全电路-备用电池电路和电源故障检测器-极低电平电压钳位-极低电平过零检测器-匹配的源极跟随器和缓冲器-精密电流镜和电流源-匹配的电容式探头和传感器接口-电荷检测器和电荷积分器-高增益差分放大器输入级-匹配的峰值检测器和电平转换器-多通道采样保持开关-精密电流倍增器-分立匹配模拟开关/多路复用器-微功耗分立电压比较器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	-
	连续漏极电流(Id)	70mA
	导通电阻(RDS(on))	25Ω@5.4V
	耗散功率(Pd)	500mW

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	400mV
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	15pF
	反向传输电容(Crss)	1pF
	工作温度	0℃~+70℃
	类型	N沟道