ALD210808PCL
4个N沟道 耐压:10.6V 电流:80mA
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- 品牌名称
- ALD
- 商品型号
- ALD210808PCL
- 商品编号
- C17489211
- 商品封装
- PDIP-16
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 4个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 70mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 820mV@10uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于基站应用的5 W塑料LDMOS功率晶体管，工作频率范围为700 MHz至2700 MHz。
商品特性
- 高效率
- 出色的耐用性
- 专为宽带操作设计
- 出色的热稳定性
- 高功率增益
- 集成ESD保护
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- CDMA-W-CDMA-GSM EDGE-MC-GSM-LTE-WiMAX
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