温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ALD810026SCLI

4个N沟道

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

品牌名称: ALD
商品型号: ALD810026SCLI
商品编号: C17491631
商品封装: SOIC-16
包装方式: 管装
商品毛重: 0.305克(g)

商品参数

商品概述

SAB MOSFET采用经过生产验证的EPAD技术制造,旨在解决串联连接的超级电容器的电压和漏电流平衡问题。超级电容器,也称为超电容器或超级电容,通过在每个超级电容器组两端连接一个或多个器件的组合,可以实现串联连接时的漏电流平衡,以防止过电压。 ALD810026为四个SAB MOSFET器件中的每一个提供了一组独特、精确的工作电压和电流特性。它可用于平衡多达四个串联连接的超级电容器。ALD910026为其两个SAB MOSFET器件中的每一个都有一组独特的精密工作电气特性,适用于多达两个串联连接的超级电容器。每个SAB MOSFET在Vt模式下具有精确的栅极阈值电压,当栅 - 漏源极端子(VGS = VDS)在漏源电流IDS(ON)=1μA时连接在一起时,该电压为2.60V。不同的VIN会产生输出电流IOUT = IDS(ON)特性,并形成一个有效可变电阻,其阻值随VIN呈指数变化。当该VIN连接到串联的每个超级电容器两端时,可将每个超级电容器的电压和电流控制在其极限范围内。 ALD810026/ALD910026导通电阻的电压相关特性在控制连接的超级电容器两端的过电压上升方面非常有效。在串联的超级电容器组中,当一个超级电容器的电压上升时,其他超级电容器的电压会下降,漏电流最大的超级电容器电压最低。连接在这些超级电容器两端的SAB MOSFET会呈现互补的相反电流水平,除了超级电容器自身产生的漏电流外,几乎不会产生额外的漏电流。

商品特性

使用简单且经济
工厂精密微调
自动调节和平衡漏电流
有效实现超级电容器电荷平衡
单个IC封装可平衡多达4个超级电容
可平衡2节、3节、4节串联的超级电容
可扩展至更大的超级电容组和阵列
几乎零额外漏电流
在额定电压以下0.3V时零漏电流
可平衡串联和/或并联连接的超级电容
漏电流是电池电压的指数函数
有源电流范围从< 0.3 nA到>1000 μA
始终处于工作状态,响应时间快
最小化漏电流和功耗

应用领域

-串联超级电容器单元漏电流平衡-能量收集-带超级电容器输出的长期备用电池-选定电压下的零功耗分压器-匹配电流镜和电流源-零功耗模式最大电压限制器-扩展的超级电容器组和阵列

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	4个N沟道
	漏源电压(Vdss)	10.6V
	连续漏极电流(Id)	-
	导通电阻(RDS(on))	-
	耗散功率(Pd)	500mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.62V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	-
	反向传输电容(Crss)	-
	工作温度	-40℃~+85℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	-