ACPL-K312-060E

该器件包含一个 GaAsP LED，该 LED 与一个集成功率输出级的集成电路进行光耦合。这些光耦合器非常适合用于驱动电机控制逆变器应用中的功率 IGBT 和 MOSFET。输出级的高工作电压范围提供了栅控器件所需的驱动电压。这些光耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定值高达 1200V/100A 的 IGBT。对于额定值更高的 IGBT，该系列可用于驱动驱动 IGBT 栅极的分立功率级。ACPL-H312 的绝缘电压为 VIORM = 891 Vpeak（选项 060）。ACPL-K312 的绝缘电压为 VIORM = 1140 Vpeak（选项 060）。

• 最大峰值输出电流 2.5 A
• 最小峰值输出电流 2.0 A
• 在 VCM = 1500 V 时，最小共模抑制比 (CMR) 为 15 kV/μs
• 最大低电平输出电压 (VOL) 0.5 V
• 最大供电电流 ICC = 3mA
• 带滞回的欠压锁定保护 (UVLO)
• 封装爬电距离和电气间隙为 8mm (ACPL-K312)
• 宽工作 VCC 范围：15 至 30 伏
• 最大开关速度 500 ns
• 工业温度范围：-40°C 至 100°C

• IGBT/MOSFET 栅极驱动
• 工业电机逆变器
• 家用电器逆变器
• 开关电源