ACPL-P349-000E

2.5-Amp输出电流SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动光耦合器

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品牌名称: Broadcom(博通)
商品型号: ACPL-P349-000E
商品编号: C17479743
商品封装: SOIC-6-6.8mm
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	逻辑输出光耦
	输入类型	DC
	工作电压	1.55V
	隔离电压(Vrms)	3.75kV
	CMTI(kV/us)	100kV/us
	传输速率	-
	CTR-电流传输比	-
	通道数	1
	工作温度	-40℃~+105℃
	传播延迟 tpLH	110ns

	属性	参数值
	传播延迟 tpHL	110ns
	输入阈值电流(FH)	4mA
	输出电流	2.5A
	耗散功率(Pd)	550mW
	输出电压	-
	正向压降(Vf)	1.55V
	直流反向耐压(Vr)	5V
	正向电流(If)	11mA
	功能特性	内置施密特触发器；欠压锁定

商品概述

该器件包含一个AlGaAs LED，通过光耦方式与集成功率输出级电路耦合。该光耦器件非常适合用于驱动功率转换应用中的SiC/GaN MOSFET和IGBT。输出级的高工作电压范围可提供栅控器件所需的驱动电压。该光耦提供的电压和高峰值输出电流使其非常适合直接驱动额定值高达1200V/100A的SiC/GaN MOSFET和IGBT。

商品特性

2.5A最大峰值输出电流
宽工作VCC范围：15V至30V
110ns最大传播延迟
50ns最大传播延迟差
轨到轨输出电压
在VCM = 1500V时，最小共模抑制比(CMR)为100 kV/μs
带滞回的LED电流输入
最大电源电流ICC = 4.2mA
带滞回的欠压锁定保护(UVLO)
工业温度范围：-40°C至105°C
安全认证
UL认可3750/5000 VRMS持续1分钟
CSA认证
IEC/EN/DIN EN 60747-5-5 VIORM = 891/1140 VPEAK

应用领域

SiC/GaN MOSFET和IGBT栅极驱动
电机驱动
工业逆变器
可再生能源逆变器
开关电源

数据手册PDF

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