商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@10V,81.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V@10mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 492nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 4.8nF |
商品概述
适用于1.2 GHz至1.4 GHz频率范围L波段雷达应用的250 W LDMOS功率模块。
商品特性
- 输入/输出50 Ω匹配
- 脉冲格式灵活性高
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带运行设计（1.2 GHz至1.4 GHz）
- 符合关于有害物质限制（RoHS）的2002/95/EC指令
应用领域
- 1.2 GHz至1.4 GHz频率范围的L波段雷达应用
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