商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 163A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 492nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 22.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 360pF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 4.8nF |
商品概述
适用于1.2 GHz至1.4 GHz频率范围L波段雷达应用的250 W LDMOS功率模块。
商品特性
-功率MOS快恢复外延二极管场效应晶体管(FREDFET)-低导通电阻(Rdson)-低输入电容和米勒电容-低栅极电荷-快速本征反向二极管-雪崩能量额定-坚固耐用-开尔文源极,易于驱动-极低杂散电感-对称设计-M5功率连接器-高度集成
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电机控制
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