IRL620A
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 800mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 430pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 30pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 70pF |
商品特性
- 逻辑电平栅极驱动
- 雪崩耐用技术
- 耐用栅极氧化层技术
- 更低的输入电容
- 改善的栅极电荷
- 扩展的安全工作区
- 更低的漏电流:10μA(最大值)@ VDS = 200V
- 更低的RDS(ON):0.609Ω(典型值)
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