MSCSM170AM058CD3AG
2个N沟道 耐压:1.7kV 电流:353A
- 品牌名称
- MICROCHIP(美国微芯)
- 商品型号
- MSCSM170AM058CD3AG
- 商品编号
- C17468062
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.7kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 353A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5mΩ@20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.642kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 1.068uC@20V | |
| 输入电容(Ciss) | 19.8nF | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃ |
商品概述
MSCSM170AM058CD3AG器件是一款1700 V/353 A相臂碳化硅（SiC）功率模块。除非另有说明，所有额定值均为结温（T_J）=25℃时的值。
商品特性
- SiC功率MOSFET
- 低RDS(ON)
- 高温性能
- SiC肖特基二极管
- 零反向恢复
- 零正向恢复
- 与温度无关的开关特性
- VF 正温度系数
- 开尔文发射极,便于驱动
- 高度集成
- M6功率连接器
- 采用氮化铝(AlN)基板,提升热性能
应用领域
-焊接转换器-开关模式电源-不间断电源-电动汽车电机和牵引驱动
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