- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W |
商品概述
ARF300是一款采用高效无凸缘封装的N沟道射频功率晶体管。它专为窄带ISM和MRI功率放大器中的高压操作而设计,工作频率高达45MHz。该晶体管与ARF301 P沟道射频功率晶体管匹配良好,这对晶体管非常适合用于桥式电路配置。
商品特性
- 符合RoHS标准
- 高性能
- 高电压击穿和大安全工作区,具备出色的耐用性
- 低热阻
- 电容与ARF301 P沟道匹配
应用领域
- 窄带ISM功率放大器
- MRI功率放大器
- XD16AWT-P0-0000-00000HG7E
- 530JB24M5762DGR
- QTM252-60.000MBE-T
- DL1-P-D/C
- JB2835BWT-G-B57EA0000-N0000001
- 3QHM572D2.0-25.00125
- EFF4(02)-80X80T0800
- XQAGRN-02-0000-000000Y01
- 9393-0-15-15-47-14-10-0
- SIT8208AC-G2-28E-35.840000Y
- SIT8008BC-83-33N-51.200000
- 0318-3-05-01-00-00-01-0
- BACC15BFA
- EM008LXQADG13IS1T
- MHP-TAC6-12-85
- GP55-93R1-FTW
- TSS-114-01-L-D
- BQ25060EVM
- TCK-147
- 3QHM53C0.5-66.405819
- 2907382