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SH8K1TB1实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SH8K1TB1

2个N沟道 耐压:30V 电流:5A

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品牌名称
ROHM(罗姆)
商品型号
SH8K1TB1
商品编号
C17461717
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.054克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))82mΩ@4V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))2.5V
栅极电荷量(Qg)5.5nC@5V
输入电容(Ciss)230pF
工作温度-
类型N沟道

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 TO - 220 FULLPAK封装消除了商业 - 工业应用中对额外绝缘硬件的需求。所使用的模塑料在管片和外部散热器之间提供了高隔离能力和低热阻。这种隔离效果相当于在标准TO - 220产品中使用100微米的云母屏障。FULLPAK封装可使用单个夹子或单个螺丝固定在散热器上。

商品特性

  • 低导通电阻。
  • 内置栅源(G-S)保护二极管。
  • 小型表面贴装封装(SOP8)。

应用领域

  • 电源开关
  • 直流 - 直流转换器

数据手册PDF