商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 1.2kV | |
| 连续漏极电流(Id) | 400A | |
| 耗散功率(Pd) | 2.45kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 输入电容(Ciss) | 38nF | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 |
商品特性
- 低浪涌,低开关损耗。
- 可进行高速开关。
- 降低温度依赖性。
应用领域
- 电机驱动
- 逆变器、转换器
- 光伏、风力发电
- 感应加热设备
- SG-8018CG 120.1920M-TJHPA0
- DC1942C
- SIT9003AI-83-33EB-60.00000
- 516-090-541-101
- AT06-4S-OMGRN
- 7936-09FFH1A
- SFP-10GE-T-C
- SIT8209AI-21-18E-166.666600
- SIT1602BI-21-XXN-18.432000
- SIT8008BI-23-YYN-20.000000
- SIT9365AI-4B3-25E168.040678
- 634V12504C2T
- 660-005N40H4-90
- XC8111AA018R-G
- 293388-1
- VS-SD400R16PC
- 3QHM572C0.25-26.600
- TFM-115-12-S-D-LC-P
- SIT8208AC-8F-25E-18.432000T
- SIT1602BC-13-30N-40.500000
- 641936-9

