- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 78pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 30pF |
商品概述
一款适用于广播发射机和工业应用的200 W LDMOS射频功率晶体管。该晶体管适用于高频至1500 MHz的频率范围。该器件出色的耐用性和宽带性能使其非常适合数字应用。
商品特性
- 集成静电放电保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 高效率
- 出色的可靠性
- 易于进行功率控制
- 符合关于限制有害物质的2002/95/EC指令(RoHS)
应用领域
- 高频至1500 MHz频率范围内的通信发射机应用
- 高频至1500 MHz频率范围内的工业应用
- SG-8018CA 157.5000M-TJHSA0
- TOLC-150-22-S-Q-TR
- 622-M50-660-BT6
- SIT8208AC-GF-28E-27.000000Y
- IKFW75N65EH5XKSA1
- XPGDWT-U1-0000-00E8E
- SG-8018CA 24.0520M-TJHSA0
- 2009891212
- TLP785(GRH-TP6,F)
- 621-015-268-513
- 653P167A6A2T
- DD15M20LV50/AA
- SG-8018CB 150.3700M-TJHSA0
- 6GK57988MD000AM1
- SIT8208AI-3F-28S-54.000000T
- SG-8018CE 20.9450M-TJHPA0
- LRC0402CK18NGV001T
- 5022R-363J
- TFC-110-01-F-D-RA
- TFM-125-22-F-D-P
- SI823H7AD-IS3