BLC9H10XS-60PY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+125℃ | |
| 类型 | - |
商品概述
这些N沟道增强型VDMOSFET采用先进的沟槽技术设计，具备出色的导通电阻（Rdson）和低栅极电荷，符合RoHS标准。
商品特性
- 易于功率控制
- 集成ESD保护
- 出色的耐用性
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计(400 MHz至1000 MHz)
应用领域
- 用于400 MHz至1000 MHz频率范围的基站和多载波应用的射频功率放大器
相似推荐
其他推荐