商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 135V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@5.65V | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.33V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 750pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.7pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 284pF |
商品概述
一款1900 W的超耐用LDMOS功率晶体管,适用于高频至150 MHz频段的工业脉冲应用。
商品特性
- 易于进行功率控制
- 集成双面ESD保护,可实现C类操作并使晶体管完全关断
- 卓越的耐用性,电压驻波比(VSWR)> 65 : 1
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 符合关于有害物质限制(RoHS)的2002/95/EC指令
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 97-79-407
- 134-10-640-00-020000
- MP-3030-12ZH-30-95
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