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PJX8603_R1_00001

1个N沟道+1个P沟道耐压:60V 耐压:50V 电流:360mA 电流:200mA

品牌名称: PANJIT(强茂)
商品型号: PJX8603_R1_00001
商品编号: C17455383
商品封装: SOT-563
包装方式: 编带
商品毛重: 0.024克(g)

商品参数

商品概述

第三代功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用的器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 D²PAK是一种表面贴装功率封装，能够容纳尺寸达HEX - 4的芯片。它在现有的任何表面贴装封装中提供了最高的功率能力和尽可能低的导通电阻。由于其内部连接电阻低，D²PAK适用于大电流应用，在典型的表面贴装应用中可散热高达2.0 W。通孔版本（IRFBC30L、SiHFBC30L）适用于薄型应用。

商品特性

先进沟槽工艺技术
专为开关负载、PWM应用等特别设计
ESD保护2KV HBM
符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
符合IEC 61249标准的绿色模塑料

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道+1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	360mA
	导通电阻(RDS(on))	6Ω@10V
	耗散功率(Pd)	300mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	1.1nC@10V
	输入电容(Ciss)	51pF
	反向传输电容(Crss)	6.6pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道+P沟道
	输出电容(Coss)	15pF