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DMN2053UVTQ-7
2个N沟道 耐压:20V 电流:4.6A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2053UVTQ-7
- 商品编号
- C17445986
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.6nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 369pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 32pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 54pF |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大程度降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 完全无铅且符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
- 适用于需要特定变更控制的汽车应用;该器件符合 AEC-Q101 标准,具备生产件批准程序(PPAP)能力,并在通过 IATF 16949 认证的工厂制造
应用领域
-背光照明-DC-DC 转换器-电源管理功能
- 622-009-360-035
- SIT8208AI-2F-25S-16.367667X
- XPEBWT-L1-0000-00HF4
- SIT9201AC-S3-25E-24.000000G
- 630-13W3640-1T3
- EHT-120-01-S-D-10
- HF1008R-331F
- SG-8018CB 63.0000M-TJHSA0
- 750316854
- PL9406T
- XPEBPA-L1-0000-00A01
- TH58BVG2S3HBAI6
- 271-068-629-002
- VS-8ETU04HN3
- SPMWH1228FD5WAPKS2
- FN9233-15-06
- XPGBWT-L1-0000-00FF4
- DD15S10W00
- S-1701Q3242-U5T1G
- FR1GF_R2_00001
- MAX7421EUA+