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ZXMN2088DE6TA

2个N沟道耐压:20V 电流:1.7A

品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: ZXMN2088DE6TA
商品编号: C17447515
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

商品概述

MwT-PH27F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为400微米，非常适合在高达26 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并进行了钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

在18 GHz时输出功率为25 dBm
在18 GHz时小信号增益为14 dB
在18 GHz时功率附加效率（PAE）为45%
0.25 x 400微米难熔金属/金栅极
非常适合中功率、增益和高功率附加效率应用
非常适合商业应用

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	2.1A
	导通电阻(RDS(on))	310mΩ@1.8V,0.3A
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	3.8nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	279pF
	反向传输电容(Crss)	29pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	52pF