温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

ZXMN2088DE6TA

2个N沟道耐压:20V 电流:1.7A

品牌名称: DIODES(美台)
商品型号: ZXMN2088DE6TA
商品编号: C17447515
商品封装: SOT-23-6
包装方式: 编带
商品毛重: 0.044克(g)

商品参数

商品概述

MwT-PH27F是一款AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管（pHEMT）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为400微米，非常适合在高达26 GHz频率范围内需要高增益和中功率的应用。该器件在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。该芯片采用可靠的金属系统制造，并进行了钝化处理，以确保出色的可靠性。

商品特性

低导通电阻
低栅极驱动能力
SOT26(双)封装
完全无铅,完全符合RoHS标准
无卤素和锑,“绿色”器件
通过AEC-Q101标准认证,具备高可靠性

应用领域

-电源管理功能-断路开关-继电器驱动和负载切换

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	20V
	连续漏极电流(Id)	2.1A
	导通电阻(RDS(on))	310mΩ@1.8V
	耗散功率(Pd)	-
	阈值电压(Vgs(th))	1V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	3.8nC@4.5V
	输入电容(Ciss)	279pF
	反向传输电容(Crss)	29pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	-
	输出电容(Coss)	52pF