DMC3025LDV-7
1个N沟道+1个P沟道 电流:15A
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- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMC3025LDV-7
- 商品编号
- C17447045
- 商品封装
- PowerDI3333-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款新一代MOSFET旨在将导通电阻(RDS(ON))降至最低,同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
- 低导通电阻
- 低输入电容
- 快速开关速度
- 低输入/输出泄漏电流
- 互补对MOSFET
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
- 电源管理功能
- 模拟开关
- SG-8018CG 23.0400M-TJHSA0
- BPDR000707303R0T00
- MHDEWT-0000-000C0BH450E
- 654C7776C2T
- XPLAWT-00-0000-000HU40F7
- SG-8018CE 86.097902M-TJHSA0
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- SIT8208AC-2F-18S-25.000000X
- 1-582589-1
- MLEAWT-P1-0000-0000F8
- 2510-08K
- BPSD000605303R3M00
- GCM1885C1H1R5WA16J
- SG-8018CE 19.4560M-TJHSA0
- BLU0805-1652-BT25W
- GCM1555G1H300GA16D
- 125SH-G-06-TR-SMT-T/R
- XPGBWT-HE-0000-00HDV
- SPCM-780-10


