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IKW25N120CS7XKSA1
1200V TRENCHSTOP IGBT 7技术
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- 描述
- 特性：VCE = 1200 V-IC = 25 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。 低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。 针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。 短路耐受时间 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。 工业电源
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IKW25N120CS7XKSA1
- 商品编号
- C17443267
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 4.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 250W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1.2kV | |
| 集电极电流(Ic) | 55A | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2V@25A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5.15V@0.49mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC | |
| 输入电容(Cies) | 3.5nF |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输出电容(Coes) | 80pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 17pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 21ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 160ns | |
| 导通损耗(Eon) | 1.2mJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 1.1mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 150ns | |
| 工作温度 | -40℃~+175℃@(Tj) |