立创商城logo
购物车0
F475R06W1E3实物图
  • F475R06W1E3商品缩略图
  • F475R06W1E3商品缩略图
  • F475R06W1E3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

F475R06W1E3

采用Trench/Fieldstop IGBT3和发射极控制3二极管及NTC的IGBT模块,具备低电感设计、低开关损耗等特性

商品型号
F475R06W1E3
商品编号
C17444251
商品封装
插件,62.8x33.8mm​
包装方式
托盘
商品毛重
7.466667克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)275W
集射极击穿电压(Vces)600V
集电极电流(Ic)75A
集电极脉冲电流(Icm)150A
集电极截止电流(Ices)1mA
集射极饱和电压(VCE(sat))1.45V
属性参数值
栅极阈值电压(Vge(th))5.8V
栅极电荷量(Qg)800nC@15V
输入电容(Cies)4.6nF
开启延迟时间(Td(on))25ns
关断延迟时间(Td(off))200ns
导通损耗(Eon)400uJ
关断损耗(Eoff)1.75mJ
工作温度-40℃~+150℃

数据手册PDF