- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 108V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 368pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.86pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品概述
一款900 W LDMOS射频功率晶体管,适用于广播Doherty、AB类发射机和工业应用。该器件出色的耐用性使其非常适合400 MHz至860 MHz频率范围内的数字和模拟发射机应用。
商品特性
- 专为宽带和Doherty工作模式设计
- 高效率
- 集成双面ESD保护
- 出色的耐用性
- 高功率增益
- 出色的可靠性
- 易于进行功率控制
- 出色的稳定性
应用领域
- UHF频段广播发射机应用
- 数字和模拟广播
- 工业、科学和医疗应用
- 适用于400 MHz至860 MHz频率范围
- SG-8018CB 70.3235M-TJHSA0
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- M6P-AAS1-12EO
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- 656C9603C2T