商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 108V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@Vgs(th)+3.75V,8.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@240mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 368pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.86pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 69pF |
商品特性
- 低电压驱动（1.2V）
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 具备ESD保护
- 无铅，符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令
- 采用符合IEC61249标准的绿色模塑料（无卤）