BLP7G10S-160PY
BLP7G10S-160PY
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- 品牌名称
- Ampleon(安谱隆)
- 商品型号
- BLP7G10S-160PY
- 商品编号
- C17414118
- 商品封装
- HSOPF-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 65V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@5.61V,3.15A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@90mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.5pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 32pF |
商品概述
MwT-7F是一款砷化镓（GaAs）金属半导体场效应晶体管（MESFET）器件，其标称栅长为0.25微米，栅宽为250微米，非常适合在500 MHz至26 GHz频率范围内需要高增益和中等线性功率的应用。MwT-7F在宽带（如6至18 GHz）或窄带应用中同样有效。保证低相位噪声的工艺使MwT-7F特别适用于振荡器应用。所有芯片均采用氮化硅（SiN）进行钝化处理。
商品特性
- 在12 GHz时输出功率为21 dBm
- 在12 GHz时小信号增益为15 dB
- 0.25微米难熔金属/金栅极
- 250微米栅宽
- 提供芯片和三种封装类型供选择
应用领域
- 高线性增益或振荡器应用
- 商业应用