商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 125V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 1.35kW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 1.8nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 75pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 750pF |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 封装占位面积比SO-8小62%
- 热性能增强型PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 适配器和充电器开关
- 手持和移动设备
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