- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 700W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
商品概述
CLL3H0914L - 700和CLL3H0914LS - 700是700 W内部预匹配的射频氮化镓-碳化硅高电子迁移率晶体管(GaN - SiC HEMT)功率晶体管,可在0.9 GHz至1.4 GHz的频率范围内使用。这些器件具有出色的效率、热阻和坚固性,适用于短脉冲和长脉冲应用。
商品特性
- 700 W内部预匹配的GaN - SiC HEMT,频率范围为0.9 GHz至1.4 GHz,具备内部稳定网络
- 低热阻
- 出色的坚固性
- 高效率,在960 MHz至1215 MHz和1030 MHz频段有短脉冲参考设计
- 高效率,在1.2 GHz至1.4 GHz频段有长脉冲参考设计
应用领域
- 焊接转换器-开关模式电源-不间断电源
- 334-90-129-00-010000
- SIT9121AI-1D2-33E156.253906T
- AVT20020E3R000KE
- 1401-0-15-01-30-02-10-0
- 112-103FAD-B01
- SIT9365AI-2B3-30N250.000000
- SIT8225AI-8F-18E-25.001200T
- GCM1885C2A9R6DA16J
- 3490-5
- EHT-122-01-L-D-RA-SR
- 627-M09-220-BN1
- S5A3305-100.000-L-X-R
- SG-8018CB 20.9715M-TJHSA0
- GCM1885G1H7R9CA16D
- 145H
- SIT8208AC-8F-28S-20.000000T
- M83513/03-H12N
- GCM1885G2A180JA16D
- MS27510A8C
- 102B
- 480-40-208-00-002000