商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@0V | |
| 耗散功率(Pd) | 700W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.9V |
商品特性
- 700 W内部预匹配的GaN - SiC HEMT,频率范围为0.9 GHz至1.4 GHz,具备内部稳定网络
- 低热阻
- 出色的坚固性
- 高效率,在960 MHz至1215 MHz和1030 MHz频段有短脉冲参考设计
- 高效率,在1.2 GHz至1.4 GHz频段有长脉冲参考设计
应用领域
- 焊接转换器-开关模式电源-不间断电源