商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 4.7kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 150mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 内置偏置电阻
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路
- 只需设置开/关条件即可运行，使电路设计变得简单
- 互补PNP类型：DTA043T系列
应用领域
- 反相器
- 接口
- 驱动器
- 630-47W1250-2NB
- M85049/79-19N04
- 1-966195-9
- 1-1734709-2
- 625-037-262-015
- EHT-110-01-F-D-SM-LC
- M85049/95-22A
- 980-8666-000
- XPLBWT-00-0000-000BV430E
- SG-8101CB 36.0204M-TCHPA0
- 2500BL14M0050001T
- 135-102DAG-J01
- XPGWHT-L1-R250-00FE4
- SG-210STF 72.0000ML
- 627-47W1224-1T5
- XPEWHT-01-0000-00BC3
- 1511181414
- EVAL-ADF7023-JDB3Z
- SIT8209AC-33-18S-166.000000
- 281783-3
- MD1-37PL1