商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 2个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 输入电阻 | 13kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.5uA |
商品特性
- 采用UMT或SMT封装的两个DTA114T芯片。
- 采用UMT或SMT封装的两个DTC114T芯片。
- TSS-109-01-S-D
- 212108
- 67L090-0346
- SI2493-C-FSR
- 644586-1
- 591-3101-00-7SF
- TFM-125-02-L-D-WT-TR
- SIT9365AC-2E2-25E200.000000
- SIT8208AI-2F-28E-4.000000Y
- SIT8208AI-2F-25E-25.000000T
- VS-130MT100KPBF
- 628-3WK3624-7ND
- SG-8018CE 15.8682M-TJHSA0
- HSS-L2D-007
- QSCP251Q750K1GV001T
- 627-009-671-276
- MS27511Z8R
- 111-802EAJ-901
- AM2904DCB
- MAX22506EEVKIT#
- 1-6609960-0