商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 56 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 内置偏置电阻，R = 10kΩ
- 互补PNP类型：DTB114GC
应用领域
- 反相器
- 接口
- 驱动器
- ZST-110-03-S-D-740
- PSM01-081A-203B2
- 620AS014Z122C
- XLP736150.000000X
- L128-2780EA3500002
- SIT9120AC-2D1-25S100.000000
- 627-27W2624-4T6
- 1-102241-7
- MX6AWT-A1-0000-000BB7
- SIT8208AI-8F-33E-48.000000Y
- 5952401013NF
- NTE5579
- SIT2018BA-S2-33E-8.000000
- H3185-01
- 3134-4-00-80-00-00-08-0
- CSX-750FHB32768000T
- SIT9365AC-2E1-25N250.000000
- SIT8209AC-82-25E-166.600000
- ECX-H33CM-24.576
- 8D025F24SN-LC
- 3QHM53D0.25-12.000