- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置 | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 集电极电流(Ic) | 400mA | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 820 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 40V | |
| 输入电阻 | 10kΩ | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 100mV | |
| 特征频率(fT) | 35MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 500nA |
商品特性
- 内置偏置电阻，R1 = 10kΩ
- 发射极至基极的高击穿电压：在IE = 50 μA时，BVEBO最小值为40V
- 低输出导通电阻：在V1 = 7 V时，RON典型值为0.9Ω
- 内置偏置电阻可在不连接外部输入电阻的情况下配置反相器电路
应用领域
-静音
- SG-8018CE 18.5000M-TJHSA0
- SSO32P1A161-156.250M
- LA76936Y7FB-E
- F20B130051ZA0060
- TFM-107-03-L-D
- SIT8208AC-3F-33E-77.760000X
- RS1DWF-HF
- 2010211218
- SXO75L3A271-250.000M
- SCM209000
- PA2202.181NLT
- SIT1602BI-12-XXN-33.330000
- 5749699-5
- 634-M62-363-WT5
- SIT9365AI-2E3-25E106.250000
- 637-M62-230-BT6
- SIT8208AI-3F-28E-33.600000Y
- 15210406601000
- SG-8018CE 160.333136M-TJHPA0
- 634L15364I2T
- SIT8208AC-8F-28S-33.333300T