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SI7223DN-T1-GE3
2个P沟道 耐压:30V 电流:6A
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen III p 沟道功率 MOSFET。 封装占位面积比 SO-8 小 62%。 热增强型 PowerPAK 封装。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：负载开关。 电池保护
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI7223DN-T1-GE3
- 商品编号
- C17406449
- 商品封装
- PowerPAK1212-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.206667克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37.2mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 23W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.425nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 152pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 172pF |
商品特性
- TrenchFET第三代P沟道功率MOSFET
- 封装占位面积比SO-8小62%
- 热性能增强型PowerPAK封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 负载开关
- 电池保护
- 适配器和充电器开关
- 手持和移动设备
- MS3437B79A
- JE2835AWT-00-0000-000A0HG965E
- HPC 4012BMV-100M
- 8857-1-15-80-32-14-04-0
- ECS-3525-640-B-TR
- MX6AWT-A1-0000-000AB4
- 3QHM53D0.5-33.3333
- 09140009936
- 661-009-264-047
- IPL1-105-02-F-S-K
- SG-8018CB 28.9350M-TJHSA0
- SG-8018CB 15.6240M-TJHSA0
- 630-M37-240-BT1
- MX6AWT-A1-0000-000CB4
- 690357102472
- FR303GP-TP
- 1663297
- L128-3590EC3500003
- GLK240128-25-422-VPT-E
- 154PHC850K
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