- 引脚图
- 焊盘图
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SIA921EDJ-T4-GE3
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA921EDJ-T4-GE3
- 商品编号
- C17408058
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 小封装面积
- 低导通电阻
- 典型ESD保护:1700 V
- 高速开关
应用领域
- 便携式设备的负载开关、功率放大器开关和电池开关
- DC/DC转换器
- UPR20/TR7
- ES1GAL
- 3-644769-7
- 3QHM572C1.5-54.480
- SIT8208AC-32-28S-74.175824
- SG-8018CA 26.6667M-TJHPA0
- 628W2WK2624-2NA
- GT16GT-1PP-HU
- SIT1602BC-22-30E-31.250000
- SG-8018CA 24.5750M-TJHSA0
- SIT1602BC-22-25S-27.000000
- FGG.3B.567.ZZC
- VS-ETX1506STRL-M3
- XREWHT-L1-R250-006B8
- HIF6H-50PA-1.27DSA(71)
- 25QHM53D0.25-65.767
- 162A11239X
- SFS1605G
- TH423H41GGNI
- SPMWHT32BMD5YBUSS0
- 3QHM572C1.5-36.288