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SIA921EDJ-T4-GE3
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.5A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA921EDJ-T4-GE3
- 商品编号
- C17408058
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 98mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：栅源电压（VGS）为10V、漏极电流（ID）为3.9A时，小于48mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：栅源电压（VGS）为4.5V、漏极电流（ID）为3.2A时，小于53mΩ
- 漏源导通电阻（RDS(ON)）：栅源电压（VGS）为2.5V、漏极电流（ID）为2.5A时，小于66mΩ
- 先进的沟槽工艺技术
- 专为开关负载、PWM应用等特殊设计
- 符合欧盟RoHS 2.0标准的无铅产品
- 采用符合IEC 61249标准的绿色模塑化合物
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