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SQ3989EV-T1_BE3
2个P沟道 耐压:30V 电流:2.5A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQ3989EV-T1_BE3
- 商品编号
- C17409058
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.044克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.67W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 11.1nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
适用于1.2 GHz至1.4 GHz频率范围L波段雷达应用的600 W LDMOS功率晶体管。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准,无卤
- P沟道MOSFET
应用领域
- 频率范围为1.2 GHz至1.4 GHz的L波段雷达应用
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