DMN2041UFDB-13
2个N沟道 耐压:20V 电流:4.7A
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMN2041UFDB-13
- 商品编号
- C17381780
- 商品封装
- UDFN2020-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.036克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 713pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 68pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 80pF |
商品概述
这款MOSFET旨在最小化导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-薄型封装,最大高度0.6mm-栅极具备ESD保护-完全无铅且符合RoHS标准-无卤素和锑,“绿色”器件
应用领域
-负载开关-电源管理功能-便携式电源适配器
- SG-8018CB 125.0010M-TJHSA0
- 516-020-000-150
- 510CBA150M000CAG
- 23R1701-C
- SIT8208AI-GF-33E-32.768000X
- GCM033R71E331MA03D
- SIT9003AC-13-33EQ-6.00000T
- 201310-1
- SG-8018CE 150.2550M-TJHPA0
- 660-024M25F6-05
- 2069907-1
- 182-009-113R171
- SPXV5007GC6U
- BLU1206-2212-BT25W
- 32_SK-50-0-1/199_NE
- VTCB4624-251-10A
- SG-8018CA 50.1367M-TJHPA0
- RTDW2R-500RF8
- TST-106-01-T-S
- SIT1602BC-73-XXS-12.000000
- 0050650042

