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DMG6602SVTX-7
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:3.4A 2.8A
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- 描述
- 新一代MOSFET旨在最大程度降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持卓越的开关性能，适用于高效电源管理应用。
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DMG6602SVTX-7
- 商品编号
- C17383388
- 商品封装
- TSOT-26
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.025克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A；3.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V；60mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 840mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V；9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 420pF；400pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 RDS(ON),同时保持卓越的开关性能,非常适合高效电源管理应用。
商品特性
-低导通电阻-低输入电容-快速开关速度-低输入/输出泄漏电流-完全无铅且完全符合 RoHS 标准-无卤素和锑,“绿色”器件-通过 AEC-Q101 标准认证,具备高可靠性
应用领域
-背光照明-DC-DC 转换器-电源管理功能
- MDM-21PSM6
- BPSC00050520100MS0
- SP-L-0300-103-3%-ST
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- 1-284338-2
- TLP385(GR-TPL,E
- 2009891210
- XPLBWT-00-0000-000HV30DT
- RD25S10HE3S/AA