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DMTH3004LPSQ-13实物图
  • DMTH3004LPSQ-13商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

DMTH3004LPSQ-13

1个N沟道 耐压:30V 电流:145A 电流:22A

品牌名称
DIODES(美台)
商品型号
DMTH3004LPSQ-13
商品编号
C17383328
商品封装
PowerDI5060-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.171克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)145A
导通电阻(RDS(on))3.8mΩ@10V
属性参数值
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))3V
栅极电荷量(Qg)43.7nC@10V
输入电容(Ciss)2.37nF
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

这款HEXFET功率MOSFET采用最新的加工技术,实现了单位硅片面积极低的导通电阻。该设计的其他特性包括175°C的结工作温度、快速开关速度和更高的重复雪崩额定值。这些特性结合在一起,使该设计成为一款极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。

商品特性

  • 低导通电阻RDS(ON) —— 最大限度降低导通损耗
  • 出色的栅漏电荷Qgd与导通电阻RDS(ON)乘积(品质因数FOM)
  • 小尺寸、热效率高的封装,可实现更高密度的终端产品
  • 100%非箝位电感开关 —— 确保更高的可靠性
  • 额定温度高达+175°C —— 非常适合高温环境
  • 无铅镀层;符合RoHS标准
  • 无卤素和锑。“绿色”器件

应用领域

-背光照明-电源管理功能-DC-DC转换器

数据手册PDF